服，戴着口罩仔细听着赵永鹏介绍。

    “在演示之前，我有必要说下。这台机器的光源焦点功率只有43瓦，与asml的最近两代EUV光源250-500瓦，差距还是巨大的，目前只能称之为实验室阶段，不过我们团队有信心，在两年内将功率提升到200瓦。”

    陈平江点了点头，表示理解。

    毕竟在EUV中光源也只是一部分，还需要其他十万个零件一起协同配合。

    但不管怎么说，也搞定了最关键的一个部分。

    在当前的EUV光刻机技术上，存在两种光刻机技术路线。

    一种是DPP方案（放电产生等离子体），一种是LPP方案（激光产生等离子体）。

    当前全球唯一一家能生产EUV光刻机，垄断了全球高端光刻机市场的公司——荷兰ASML公司，采用的就是LPP方案。

    哈工大的这个“放电等离子体极紫外光刻光源”，从名字上就能看出它走的是DPP方案。

    DPP方案最大的一个问题就是光源的焦点功率不足。

    光刻机的光源是用来烧石头（单晶硅）的，功率不足自然就烧不动，也就没法蚀刻出芯片。

    好在，因为专利的限制，当前中国走DPP方案的EUV光刻机研究，是要比走LPP方案容易的。

    虽然当前DPP方案还无法商用，暂且无法用在EUV光刻机身上，但DPP方案技术是会进步的。

    DPP方案本身优势也不小，比如光源稳定、对清洁度要求低，以及成本更低。

    并且，陈平江也不会将鸡蛋放在一个篮子里。

    除了哈工大这头，XX光电所和沪上某家研究所都有资助，大家进度不一，路线也不同。

    任何一方取得最终突破，都会大大提前国产EUV光刻机问世的时间。